Descripción
Transistor SSP4N60B TO220-3
- Transistor MOSFET
- Carcasa TO-220-3
- Número de canales 1
- Transistor N-Channel
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente 600V
- Corriente de drenaje continua 4A
- Tensión entre puerta y fuente 30V
- Temperatura de trabajo – 55 C..150ºC
- Potencia 100W
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